型号:SI7942DP-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SO-8 | 描述:MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 49 毫欧 @ 5.9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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- TA-24.576MDD-T
振荡器
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4-SMD,无引线(DFN,LCC)
OSC MEMS 24.576 MHZ 1.8V SMD
- SI7946DP-T1-GE3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
PowerPAK? SO-8 双
MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
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2312(6032 公制)
CAP TANT 220UF 6.3V 10% 2312